IGBTはトランジスタの一種で、Insulated Gate Bipolar Transistor（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）の頭文字をとったものです。
本項ではIGBTの概要を説明します。
IGBTは下記の図のような構造・回路記号で表します。
IGBTの端子はC(コレクタ)・G(ゲート)・E(エミッタ)の3つです。
MOSFETのドレインにあたるコレクタ部分に、エミッタ部分と同じ半導体を追加した構造になっています。
図からもわかるように、入力部分はMOSFET、出力部分はバイポーラトランジスタのような構造になっています。
IGBTも役割は他のトランジスタと同じく、電流のスイッチングと増幅です。特徴はスイッチングの速さと高電圧でのスイッチングの効率の良さです。MOSFETとバイポーラトランジスタの良いところを合わせたものといえるでしょう。
インバータ回路によく用いられおり、主な用途として大電力インバータ回路のスイッチング、無停電電源装置や交流電流の制御などがあります。
IGBTも他のトランジスタと同様に発電・変電設備などの制御回路で用いられており、試験対策としてだけでなく実務の観点からも覚えておくと良い知識です。
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